پوشش با لایه های نازک نقش بسیار مهمی در صنایع نیم رسانا ها و تجهیزات میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک دارد. با اضافه کردن یک لایه نازک به سطح به علت تداخل امواج الکترومغناطیسی، خواص تشعشعی سطح کاملا متفاوت خواهد بود. در این پروژه با بهره گرفتن از روشهای الکترومغناطیسی، خواص تشعشعی یک ساختار چندلایه نازک محاسبه می شود و با بهره گرفتن از الگوریتم ژنتیک و عملیات حرارتی شبیهسازی شده، خواص چنین ساختاری با تغییر جنس و ضخامت لایه ها با توجه به مسائل کاربردی بهینهسازی می شود.
یکی از مسائل مورد بررسی در این پروژه خنککاری تشعشعی است. مشخص شده که در صورتیکه رطوبت بالا نباشد جو زمین در بازه 8 تا 13 میکرومتر به صورت یک چاه حرارتی عمل می کند و درنتیجه در صورت استفاده ازیک پوشش انتخابگر، به گونه ای که تبادل انرژی را به این بازه محدود کند میتوان بدون مصرف انرژی خنککاری انجام داد. استفاده از پوشش هایی که امکان خنککاری تحت تابش مستقیم نور خورشید را مهیا کنند تا کنون به صورت یک چالش باقی مانده است. در این پروژه تعدادی پوشش معرفی شده، که به کمک آنها امکان خنککاری جزئی در حد 2 تا 3 درجه سانتیگراد، تحت تابش مستقیم نور خورشید وجود دارد. همچنین تعداد زیادی پوشش بهینه برای خنککاری در شب معرفی شده است. به علاوه ایده استفاده از پتاسیم بروماید پوششداده شده از دو طرف به عنوان یک پوشش بسیار مناسب برای خنککاری در شب برای اولین بار مطرح شده است. افت دما با بهره گرفتن از چنین پوششی حدود 123% افزایش خواهد داشت.
همچنین ساختارهای بهینه جهت کاربرد به عنوان آینه حرارتی معرفی شده است. ضمن اینکه BaTiO3 به عنوان یک آینه حرارتی بسیار
مناسب، برای اولین بار مورد بررسی قرار گرفته است.
کلمات کلیدی: انتقال حرارت، لایه های نازک، انتقال حرارت تشعشعی در ابعاد نانو، خواص تشعشعی، خنککاری تشعشعی، آینههای حرارتی، بهینهسازی
1-1 پیشگفتار
با توجه به کاربردهای وسیع لایه های نازک، استفاده از این تکنولوژی در بسیاری از ادوات اپتیکی، الکترونیکی و تجهیزات مربوط به انرژی خورشیدی متداول شدهاست. از طرفی، اطلاع از خواص تشعشعی ساختارهای چندلایه[1] شامل لایه های نازک، در بسیاری از کاربردهای عملی مانند فرایندهای گرمایی سریع[2] (RTP) [1و2] و سلولهای خورشیدی حائز اهمیت کلیدی میباشد. یافتن ضخامت بهینه لایه ها جهت دستیابی به خواص تشعشعی مورد نظر، کاربردهای مهمی در تجهیزات خنککننده تشعشعی[3]، آینههای حرارتی[4]، کلکتورهای خورشیدی و سلولهای خورشیدی دارد، ولی با این وجود به ندرت مورد بررسی قرار گرفته است.
لایه های نازک در کاربردها معمولا به شکل ساختارهای چندلایه مطابق شکل 1-1 استفاده میشوند.
شکل 1‑1- یک ساختار چندلایه
همانطور که دیده می شود یک لایه ضخیم(Substrate) با ضخامتی از order میلیمتر وجود دارد که در اطراف آن (یا فقط در یک سمت) لایه های نازک قرار دارند. یکی از ویژگیهای مهم این ساختارها قابل تنظیم بودن خواص تشعشعی آنها است. خواص تشعشعی چنین ساختارهایی به عوامل متعددی بستگی دارد که در ادامه لیست میشوند[3]:
- تعداد لایه ها
- جنس لایه ها
- نحوه چینش لایه ها
- ضخامت لایه ها
- زاویه برخورد
- دمای لایه ها
- پلاریزاسیون پرتو برخوردی
با توجه به تغییرات طیفی خواص تشعشعی این لایه ها میتوان با بهره گرفتن از ترکیبهای متنوع از لایه های مختلف، خواص تشعشعی را در بازههای مختلف طول موج تغییر داد. در نتیجه در صورتیکه جنس و ضخامت لایه ها به درستی انتخاب شود، میتوان به کمک ساختارهای چندلایه نازک به پوشش های انتخابگر متنوع دسترسی پیدا کرد.
فرم در حال بارگذاری ...